מאַנופאַקטורינג פּראָצעס פון אַנטי רעפלעקטיווע פילם
לאז איבער א מעלדונג
טעקנאַלאַדזשיקאַל פּראָצעס
צושטעלן גראָוט מאַטעריאַלס און גאַז קוואלן: צושטעלן גראָוט מאַטעריאַלס פֿאַר די אַנטי-ריפלעקטיוו פילם, אַזאַ ווי SiO אין עטלעכע עמבאַדימאַנץ, און צושטעלן גאַז קוואלן קאָראַספּאַנדינג צו די גראָוט מאַטעריאַלס, אַזאַ ווי סיH ₄, N ₂ אָ און N ₂ גאַז מקור קאַמבאַניישאַנז.
פאָרמירונג פון אַנטי אָפּשפּיגלונג שיכטע: ניצן די זעלבע גראָוט מאַטעריאַל צו סאַקווענטשאַלי פאָרעם בייַ מינדסטער צוויי אַנטי אָפּשפּיגלונג לייַערס פון אַנטי אָפּשפּיגלונג פילם אויף די סאַבסטרייט שיכטע. די סאַבסטרייט שיכטע קענען אַרייַננעמען SiO שיכטע, Si שיכטע און אַבזאָרפּשאַן שיכטע אין סיקוואַנס צוזאמען די ריכטונג פון פילם וווּקס. גענומען די צוויי - שיכטע אַנטי אָפּשפּיגלונג שיכטע (ערשטער אַנטי אָפּשפּיגלונג שיכטע און צווייטע אַנטי אָפּשפּיגלונג שיכטע) ווי אַ ביישפּיל, עס איז געשאפן דורך עפּיטאַקסיאַל גראָוט פּראָצעס (אַזאַ ווי פּלאַזמע ענכאַנסט כעמישער פארע דעפּאַזישאַן אופֿן PECVD). די ספּעציפיש סטעפּס זענען ווי גייט:
סאַבסטרייט פּראַסעסינג: נאָך סעמיקאַנדאַקטער רייניקונג פּראָצעס אויף די סאַבסטרייט שיכטע, שטעלן די סאַבסטרייט שיכטע אויף די קווד דעפּאַזישאַן ויסריכט.
עקוויפּמענט פּאַראַמעטער סעטטינגס: קאָנטראָל די אויבערשטער ילעקטראָוד טעמפּעראַטור פון די קווד דעפּאַזישאַן ויסריכט צו 200-300 גראַד און דער נידעריקער ילעקטראָוד טעמפּעראַטור צו 250-350 גראַד.
גראָוט פון דער ערשטער אַנטי אָפּשפּיגלונג שיכטע: סטרויערן די ערשטער דעפּאַזישאַן פּאַראַמעטערס פון די קווד דעפּאַזישאַן ויסריכט, אַרייַנגערעכנט די ערשטער באַנד לויפן קורס פון סיה ₄, N ₂ אָ און N ₂, דער ערשטער גאַז דרוק, דער ערשטער רף מאַכט פון די קווד דעפּאַזישאַן עקוויפּמענט, דער ערשטער דין פילם דעפּאַזישאַן צייט, אאז"ו ו, אָדער קיין קאָמבינאַציע פון זיי, צו וואַקסן די ערשטער אַנטי-אַ-20ם אָפּשפּיגלונג קייט מיט אַ גרעב און 020ם קייט. רעפראַקטיווע אינדעקס קייט פון 1.4-1.71.
גראָוט פון אַ צווייט אַנטי אָפּשפּיגלונג שיכטע: סטרויערן די רגע דעפּאַזישאַן פּאַראַמעטערס פון די קווד דעפּאַזישאַן עקוויפּמענט, אַרייַנגערעכנט די רגע באַנד לויפן קורס פון סיה ₄, N ₂ אָ, און N ₂, די רגע גאַז דרוק, די רגע רף מאַכט פון די קווד דעפּאַזישאַן ויסריכט, די רגע דין פילם דעפּאַזישאַן צייט, אאז"ו ו, אָדער קיין קאָמבינאַציע דערפון, צו וואַקסן אַ צווייט אַנטי אָפּשפּיגלונג שיכטע מיט אַ צווייט אַנטי אָפּשפּיגלונג שיכטע. 10-200נם און אַ ראַפראַקטיוו אינדעקס קייט פון 1.4-1.71.
טעקנאַלאַדזשיקאַל אַדוואַנטידזשיז
דורך ניצן די זעלבע גראָוט מאַטעריאַל, דער אַנטי אָפּשפּיגלונג פילם קענען דערגרייכן די זעלבע אַנטי אָפּשפּיגלונג ווירקונג קאַמפּערד מיט סטאַקט אַנטי אָפּשפּיגלונג פילמס פון פאַרשידענע מאַטעריאַלס, רידוסינג די טייפּס פון גאַז קוואלן געניצט, לאָוערינג די שוועריקייט פון דער צוגרייטונג פּראָצעס און ינקריסינג די צוגרייטונג פּלאַץ און אַרבעט געגנט רעכט צו דער סטאָרידזש און נוצן פון גאַז קוואלן בעשאַס דער צוגרייטונג פּראָצעס.
מאַנופאַקטורינג פּראָצעס פון כייבריד סיאָ ₂ / טיאָ ₂ אַנטי-ריפלעקטיוו פילם
טעקנאַלאַדזשיקאַל פּראָצעס
צוגרייטונג פון סאַבסטרייט: אויסקלייַבן טראַנספּעראַנט סאַבסטרייץ אַזאַ ווי גלאז, אָרגאַניק גלאז, פּאָליימידע פילם, אאז"ו ו, און דורכפירן פלעק באַזייַטיקונג באַהאַנדלונג צו ענשור אַ ריין און שטויב- ייבערפלאַך. אויב נויטיק, איין --סיידאַד אָדער טאָפּל --סיידאַד פּאַלישינג קענען זיין דורכגעקאָכט צו פֿאַרבעסערן ליכט טראַנסמיסיע עפעקטיווקייַט.
צוגרייטונג פון פילם פּריקערסער: טעטראַעטהאָקסילאַנע (TEOS) און טעטראַבוטיל טיטאַנאַט (טבט) זענען מוסיף צו עטאַנאָל מיט NH ₄ OH אין אַ זיכער פּראָפּאָרציע, און דער אָפּרוף איז געהאלטן פֿאַר 9 -12 שעה צו קריגן אַ טראַנספּעראַנט סאָל-געל סיסטעם.
קאָוטינג און קיורינג: די צוגעגרייט סאָל געל סיסטעם איז יוואַנלי קאָוטאַד אויף די טראַנספּעראַנט סאַבסטרייט, און ומדריי קאָוטינג, ספּרייינג, בראַשינג און אנדערע סקימז קענען זיין געוויינט. נאָך קאָוטינג, די כייבריד SiO ₂ / TiO ₂ פילם פּריקערסער איז געשטעלט אין אַ ויוון פֿאַר קיורינג און אַנילינג באַהאַנדלונג, פאָרמינג אַ מאַלטי-שיכטע סטרוקטור.
קייַלעכיק קאָוטינג: איבערחזרן די קאָוטינג און קיורינג פּראָצעס ביז דער געוואלט אַנטי ריפלעקטיוו ווירקונג איז באקומען. פאַרשידענע קאָוטינג צייט און סיקוואַנסיז וועט ווירקן די פאָרשטעלונג פון אַנטי-ריפלעקטיוו פילמס, און פאָרשונג און אַפּטאַמאַזיישאַן איז דארף.
ייבערפלאַך באַהאַנדלונג: צו פאַרגרעסערן די געווער און פעסטקייַט פון די אַנטי-ריפלעקטיוו פילם, אַ פּלאַסט פון כיידראָופיליק און כיידראָופאָביק פּאָלימער קענען זיין קאָוטאַד אויף די ייבערפלאַך פון די אַנטי-ריפלעקטיוו פילם.
מאַנופאַקטורינג פּראָצעס פון ינפרערעד אַנטי-ריפלעקטיוו פילם
טעקנאַלאַדזשיקאַל פּראָצעס
די ינפרערעד אַנטי אָפּשפּיגלונג פילם איז באזירט אויף סיליציום און קאָוטאַד מיט אַנטי אָפּשפּיגלונג פילמס אויף ביידע זייטן פון די סאַבסטרייט. די פילם סיסטעם סטרוקטור פון די אַנטי אָפּשפּיגלונג פילם איז פרייַ פון יעדער אנדערער ווי (HL) ^ S, ווו H רעפּראַזענץ די Si שיכטע, L רעפּראַזענץ די SiO שיכטע, S רעפּראַזענץ די צייַט פון די HL יקערדיק סטרוקטור, און די ווערט פון S איז אַ גאַנץ נומער צווישן 3-6. די סי שיכטע איז שכייניש צו די סאַבסטרייט, און די סי שיכטע איז ליגן אויף די ייבערפלאַך. דער קאָוטינג פּראָצעס איז געניצט צו צוטשעפּען די פילם שיכטע צו די סאַבסטרייט, מיט SiO פילם שיכטע ווי די ויסווייניקסט שיכטע, וואָס האט הויך ייבערפלאַך כאַרדנאַס און טוט נישט דאַרפן אַן נאָך פּראַטעקטיוו שיכטע. דערצו, SiO האט אַ נידעריקער רעפראַקטיווע אינדעקס, וואָס קענען רעדוצירן די ריפלעקטיוויטי פון די ייבערפלאַך און פאַרגרעסערן די ינפרערעד טראַנסמיטטאַנס.
מאַנופאַקטורינג פּראָצעס פון הויך -טעמפּעראַטור קעגנשטעליק CO ₂ לאַזער אַנטי-ריפלעקטיוו פילם
טעקנאַלאַדזשיקאַל פּראָצעס
פאַר-מעלטינג מאַטעריאַל: באַזונדער פאַר-מעלטינג באַהאַנדלונג איז דורכגעקאָכט אויף יטריום פלאָרייד, קאַלסיום יטריום פלאָרייד און צינק סעלענידע פילם מאַטעריאַלס צו באַזייַטיקן ימפּיוראַטיז ין די פילם מאַטעריאַלס.
דעפּאַזישאַן פילם שיכטע: דער ערשטער יטטריום פלאָרייד שיכטע, יטטריום קאַלסיום פלאָרייד שיכטע, צינק סעלענידע שיכטע און רגע יטטריום פלאָרייד שיכטע זענען סאַקווענטשאַלי דאַפּאַזיטיד אויף אַ צינק סעלענידע סאַבסטרייט שיכטע מיט אַ גרעב פון 3 ± 0.1 מם דורך וואַקוום יוואַפּעריישאַן. די קאַווערידזש געגנט פון יעדער שיכטע איז איבער 95% פון די ייבערפלאַך געגנט פון די סאַבסטרייט שיכטע. די גשמיות גרעב באדערפענישן פֿאַר יעדער שיכטע זענען ווי גייט: די גשמיות גרעב פון דער ערשטער יטריום פלאָרייד שיכטע איז 95-100 נאַנאָמעטער; די גשמיות גרעב פון די יטטערביום קאַלסיום פלאָרייד שיכטע איז 860-870 נאַנאָמעטערס; די גשמיות גרעב פון די צינק סעלענידע שיכטע איז 240-250 נאַנאָמעטער; די גשמיות גרעב פון די רגע יטטריום פלאָרייד שיכטע איז 95-100 נאַנאָמעטער.
טעקנאַלאַדזשיקאַל אַדוואַנטידזשיז
די צוגעגרייט אַנטי אָפּשפּיגלונג מעמבראַנע האט אַ פּשוט סטרוקטור און מעהודערדיק פּלאַן. די פיר שיכטע קאָמבינאַציע האט די קעראַקטעריסטיקס פון הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל, הויך טראַנסמיטטאַנס, פעסט מעמבראַנע שיכטע, קאַמפּלאַמענטשי דרוק צווישן מעמבראַנע לייַערס און ניט בראָך פון מעמבראַנע לייַערס. עס קענען טרעפן די קעסיידערדיק אָפּעראַציע פון קאַמפּאָונאַנץ אונטער הויך טעמפּעראַטור טנאָים, און די מאַטעריאַלס געניצט אין יעדער שיכטע זענען ניט ראַדיאָאַקטיוו, וואָס וועט נישט פאַרשאַפן שעדיקן צו אָפּערייטערז און די סוויווע.